반도체 산업의 주요 공정
웨이퍼 제조→ 산화 → photo →etching → 증착/이온주입 → 평탄화 → 금속화 → EDS → PKG
각 공정 단계 및 역할
| ① 결정 성장(Crystal Growth) | 반도체 웨이퍼의 원재료인 단결정 실리콘 제조 |
| ② 산화(Oxidation) | 웨이퍼 표면에 SiO₂(산화막) thin film 형성 |
| ③ 포토리소그래피(Photolithography) | 포토마스크를 이용해 회로 패턴 형성 |
| ④ 식각(Etching) | 패턴 만들고 불필요한 부분 제거 |
| ⑤ 이온주입(Ion Implantation) | 불순물 주입으로 전기적 특성 부여 |
| ⑥ CMP(Chemical Mechanical Planarization) | 소자 집적화를 위한 표면 평탄화 |
| ⑦ 금속화(Metallization) | 전기적 특성 확보 위한 소자 간 배선 연결 |
| ⑧ EDS(Electrical Die Sorting) | 웨이퍼 상태에서 전기적 검사 |
| ⑨ 패키징(Packaging) | 칩 보호 및 외부 회로와 연결 |
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